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北京大學(xué)教授、理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任沈波將出席論壇，并將帶來《基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件》的大會(huì)報(bào)告，敬請(qǐng)期待！

IFWS的重要分會(huì)之一的“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分會(huì)I”最新報(bào)告日程正式出爐。分會(huì)將于11月20日在蘇州國(guó)際博覽中心G館 ? G106召開，誠(chéng)摯邀請(qǐng)業(yè)界同仁同聚！

研究背景-Ga?O? 作為新興超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有約 4.9 eV 的準(zhǔn)直接帶隙，其光響應(yīng)峰值正好落在日盲紫外波段，是制備日盲紫

2024年6月21至23日，“新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將在山東濟(jì)南召開，北京大學(xué)教授、理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任沈波受邀將出席會(huì)議，并帶來《AlN單晶襯底和外延薄膜的制備》的大會(huì)主旨報(bào)告

中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所（以下簡(jiǎn)稱寧波材料所）張文瑞研究員、郭煒研究員長(zhǎng)期招聘博士后，招聘方向?yàn)檠趸铩⒌?/p>

寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)快速崛起，未來10年將對(duì)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重塑產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。寬禁帶半導(dǎo)體是全球高技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵領(lǐng)域之

隨著高性能、高功率、高頻率等需求的不斷擴(kuò)展以及技術(shù)的不斷提升，超寬禁帶半導(dǎo)體呈現(xiàn)出越來越明顯的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，在多個(gè)領(lǐng)域都具有

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有諸多優(yōu)勢(shì)，碳化硅電力電子器件優(yōu)異的高效、高壓、高溫和高頻特性，使其在家用電器、電機(jī)節(jié)

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，是國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。其中，氧

氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛用于信息化社會(huì)、人工智能、萬物互聯(lián)、現(xiàn)代農(nóng)業(yè)、現(xiàn)代醫(yī)療、智能交通、國(guó)防

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的

4月8日，2023特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展常州峰會(huì)舉行。會(huì)上，寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心常州分中心揭牌，龍城芯谷項(xiàng)目啟動(dòng)。常州

核心提示：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：近日，武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院袁超課題組在國(guó)際權(quán)威期刊《Journal of Applied Physics》上，以A review of ther

近日，廈門大學(xué)康俊勇教授團(tuán)隊(duì)采用鐵電柵控方法，首次實(shí)現(xiàn)了對(duì)單層和雙層WS2的非易失性能谷調(diào)控，并在室溫下獲得了較高的谷極化

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊 近日，西安交大電子學(xué)院先進(jìn)光電所云峰教授團(tuán)隊(duì)在六方氮化硼薄膜大面積制備及剝離方面取得了重要進(jìn)展。該成果以

作為新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，氧化鎵（Ga2O3）由于自身的優(yōu)異性能，憑借其比第三代半導(dǎo)體材料SiC和GaN更寬的禁帶，在紫外探測(cè)、高頻功率器件等領(lǐng)域吸引了越來越多的關(guān)注和研究。

南沙通過強(qiáng)化招商引資工作，率先搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點(diǎn)，引進(jìn)培育了芯粵能、芯聚能、晶科電子、聯(lián)晶智能、南沙晶圓、先導(dǎo)半導(dǎo)體高端設(shè)備等一批行業(yè)龍頭企業(yè)，已初步形成覆蓋半導(dǎo)體和集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、設(shè)備材料等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。

近日，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院教授于洪宇課題組和助理教授李攜曦課題組在寬禁帶半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域取得系列進(jìn)展，