英諾賽科作為全球第三代半導體氮化鎵的領導者針對數據中心領域，開發了多系列分立和集成氮化鎵產品，能夠最大限度提升效率，減少能源浪費。
今天上午9時30分隨著鐘聲敲響從吳江走出的全球氮化鎵龍頭英諾賽科成功登陸港交所成為港股第三代半導體第一股12月30日，英諾賽科
中國氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動招股，并將于2024年12月23日結束招股。
“氮化鎵功率電子器件技術III”的分會上，嘉賓們齊聚，共同探討氮化鎵功率電子器件技術進展與發展趨勢。
“氮化鎵功率電子器件技術II”分會上，嘉賓們帶來精彩報告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術發展。
據先導科技集團官微消息，日前，由先導科技集團旗下先導光電子事業部牽頭的安徽省科技創新攻堅計劃-氮化鎵藍光裝備的全鏈條國產
”氮化鎵功率電子器件技術 I“分會上，嘉賓們齊聚一堂，共同探討氮化鎵功率電子器件技術發展。
清華大學羅毅院士課題組與安徽格恩半導體有限公司合作，通過深入研究GaN同質外延過程中的位錯控制、InGan/GaN多量子阱的應力調控以及腔面鍍膜技術，制備了高效的GaN藍光激光二極管。
北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心王新強教授與北京大學電子顯微鏡實驗室王濤高級工程師探測到褶皺二維氮化鎵（GaN）的聲子行為。
11月28日，中國證監會國際合作司發布關于英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司境外發行上市備案通知書
“氮化鎵射頻電子器件與應用分會”上，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導體的技術創新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創新中心FLAB三代特色半導體工藝技術創新的新模式，包括硬件建設、軟件建設、開發體系、技術路線等。
“氮化鎵射頻電子器件與應用”技術分會上，香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創始人俞捷，小米通訊技術有限公司高級硬件研發工程師孫躍，中國科學技術大學微電子學院教授、安徽云塔電子科技有限公司創始人左成杰，西安電子科技大學教授薛軍帥，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導體有限公司研發總監張新川，中國科學院半導體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學集成電路學院博士劉濤，中國科學院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告
氮化鎵功率電子器件技術分會日程出爐，本屆分會將分為三個場次充分探討，敬請關注！
納微半導體今日發布全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術的混合設計，實現了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規模數據中心。
作為IFWS的重要技術分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐！
作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學高通光學實驗室、高武半導體，小米通訊技術，匯芯通信/國家5G中高頻器件創新中心，中國科學技術大學、云塔電子，能訊高能半導體，中國科學院半導體研究所，九峰山實驗室，江南大學，中國科學院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。
德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠
遠山半導體提供的DFN封裝形式的Gan HEMT器件實現了1200V高耐壓，并且展現出了極低的界面電容和優良的熱阻 ，極快的開關速度，同時克服了氮化鎵器件容易發生的電流崩塌問題。測試結果顯示各項性能指標均達到行業領先水平，意味著其產品在性能、質量和可靠性方面具備優勢，有更強的市場競爭力。
10月24日，德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已開始生產基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體。隨著會津工廠的投產，加上德州
遠山半導體最近發布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并在泰克先進半導體實驗室進行了詳盡的測試