?產業勢能芯聯動 共筑行業新生態
——2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇在重慶盛大開幕
2月27日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”在重慶山城國際會議中心盛大召開。本次論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）與三安光電股份有限公司 共同主辦，極智半導體產業網（www.casmita.com）、第三代半導體產業、重慶三安半導體有限責任公司、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，重慶大學、 重慶郵電大學、湖南三安半導體有限責任公司等單位協辦。
?
?
論壇現場
圍繞功率半導體制造及供應鏈中的諸多關鍵問題，論壇多方優勢力量強強聯合，院士領銜，專家齊聚，攜手促進功率半導體全產業鏈協同發展。中國工程院院士、西北工業大學黨委書記、教授李言榮，中國科學院院士、武漢大學教授劉勝，重慶市政府副市長、西部科學城重慶高新區黨工委書記馬震，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員吳玲，福建三安集團董事長林秀成，三安光電股份有限公司副董事長林科闖，重慶市政府副秘書長凌凡，西部科學城重慶高新區黨工委委員、管委會副主任彭世權，西永微電園公司副總經理陳昱陽，以及重慶市發改委、經信委、科技局等相關部門的領導嘉賓，業內知名專家學者、企業領袖、行業組織領導出席會議。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長楊富華主持了論壇開幕環節。
?
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長楊富華主持論壇開幕環節
產業勢能聯動 ?共筑產業鏈新生態
全球化和信息化的背景下，競爭日益激烈。功率半導體供應鏈的重要性更加凸顯，生態協同成為產業持續發展的關鍵，產業鏈的協同發展與夯實，需要產業各環節的共同努力。
中國工程院院士、西北工業大學黨委書記李言榮為論壇致辭
中國工程院院士、西北工業大學黨委書記李言榮為論壇致辭時表示，功率半導體每一次突破都會帶動整個工業電力電子方面很大的進步。功率半導體材料技術是基礎性產業，當前我國基本建設和信息化發展速度非常快，應用場景需求驅動下，產業發展會充滿創新活力，市場發展空間會越來越大。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員吳玲致辭
半導體行業是全球化分工合作的產物，也是全球化進程的最大受益者之一。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員吳玲為論壇致辭時表示，我國正以開放合作的態度融入全球創新網絡，但也面臨諸多挑戰，企業需找到適合自身優勢的發展模式，產業體系和生態仍需完善。希望更多企業積極探索創新模式，堅定信心加強交流與合作，共享發展機遇。
福建三安集團董事長林秀成為論壇致辭
在世界半導體格局的變化中，中國已經成為全球最大的半導體市場之一。發展至今，我國在第三代半導體產業領域已經取得了很多成就。福建三安集團董事長林秀成為論壇致辭時表示，面對新的發展趨勢，國內行業企業需積極開拓，緊密合作，在未來的產業格局中爭取實現更好的發展。
重慶市政府副市長，西部科學城重慶高新區黨工委書記馬震為論壇致辭
重慶市政府副市長、西部科學城重慶高新區黨工委書記馬震致辭時表示，本次論壇聚焦第三代半導體未來發展，專家學者、精英翹楚齊聚一堂，優勢企業、優質項目精準對接，必將為重慶不斷壯大集成電路產業、持續提升“33618”現代制造業集群能級、加快建設國家重要先進制造業中心注入強勁動力，希望大家進一步深化與重慶合作，聚焦“四鏈”融合、“四側”協同，攜手擴大“朋友圈”、建設“生態圈”，共同推動重慶集成電路產業高質量發展，實現高水平互利共贏。
升級持續 把握產業發展新契機
當前，功率半導體產業正在經歷顯著的技術進步和市場擴張，迎來前所未有的發展機遇與挑戰，功率半導體技術不斷迭代，第四代半導體材料如氧化鎵和氮化鋁也嶄露頭角，展現出巨大潛力。?
開幕大會主旨報告環節，中國科學院院士，武漢大學教授劉勝，三安光電股份有限公司副董事長、總經理林科闖，國家電網全球能源互聯網研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏，中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻，國家自然科學基金委員會高技術研究發展中心原技術總師史冬梅等院士領銜的專家們，帶來五大國際重量級報告，從產業趨勢、挑戰、技術等多維度探討產業發展的未來，共議當前產業發展新態勢，新機遇。電子科技大學功率集成技術實驗室（PITEL）負責人、教授張波，南京大學電子科學與工程學院院長劉斌的聯袂主持了大會主旨報告環節。
?
電子科技大學功率集成技術實驗室（PITEL）負責人、教授張波
南京大學電子科學與工程學院院長劉斌
中國科學院院士，武漢大學教授劉勝
在當前的科技發展背景下，多場跨尺度協同設計成為應對復雜工業系統挑戰的關鍵方法。隨著芯片技術的進步，特別是在先進封裝領域，傳統的單一物理場分析已不足以應對微觀結構的復雜性。中國科學院院士，武漢大學教授劉勝做了“多場跨尺度協同設計及國產軟件“的主題報告，分享了最新技術進展。劉勝認為，半導體制造與封裝的未來發展依賴于多場跨尺度協同設計和工藝建模的突破。未來，半導體制造、封裝工藝及可靠性自主工業軟件將成為推動行業創新和發展的重要加速器。
?
三安光電股份有限公司副董事長、總經理林科闖?
當前，第三代半導體正重塑能源、通信、交通等領域，與此同時，全球半導體行業強勁增長，生成式AI芯片需求增加，數據中心建設推動增長帶來產業契機。三安光電股份有限公司副董事長、總經理林科闖做了”第三代半導體產業的契機、挑戰與展望“的大會報告，分享了最新進展。其中，報告指出，高內需以及，5G/6G基站、高速服務器、消費電子強等強勢領域成為產業契機。當前產業國際競爭激烈但各有優勢，政策支持、技術突破、產業協同、市場拓展是我國第三代半導體產業發展的關鍵。
國家電網全球能源互聯網研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏?
高壓碳化硅功率器件憑借?高耐壓、低損耗、高溫穩定性?等特性，在電網中逐步替代傳統硅基器件。國家電網全球能源互聯網研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏帶來了”高壓碳化硅器件在電網中的應用及其挑戰分析“的大會報告。其中，報告指出，新型電力系統建設要求從根本上改變了電網形態，亟需新型電力電子裝備。硅器件性能參數已經接近極限，碳化硅器件的應用將大大推動電網柔性化、電力電子化進程。
??
中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻?
氮化鎵異質結晶體管憑借高電子遷移率、耐高壓和高溫特性，成為5G通信、電動汽車、數據中心電源等高功率場景的核心器件。?高功率密度?是當前技術競爭焦點，需突破材料、散熱、封裝和可靠性等關鍵技術。中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻帶來了”氮化鎵高功率密度異質結晶體管關鍵技術“的大會報告，分享了GaN基HEMT關鍵技術及GaN基高頻芯片進展。其中，報告指出，硅基器件的信息處理能力和鎵系化合物器件的感通測能力將以標準化集成的方式實現互為補充、相互融合的集成電路體系架構和統一的生態體系。
?
國家自然科學基金委員會高技術研究發展中心原技術總師史冬梅?
氧化鎵與金剛石作為超寬禁帶半導體“雙星”，正在突破功率與頻率極限。兩者在“雙碳”時代將形成互補生態。國家自然科學基金委員會高技術研究發展中心原技術總師史冬梅帶來了”氧化鎵和金剛石超寬禁帶半導體技術發展態勢“的主題報告，分享了最新進展。
?
除了重量級開幕大會，論壇技術與產業并舉，27-28日精彩將持續展開，“8英寸碳化硅晶圓智能制造”、“氮化鎵及其他功率半導體技術及應用”兩大主題分論壇，將圍繞相關領域的前沿熱點、技術應用、產業趨勢等熱點前沿，匯聚產業鏈不同環節的精英嘉賓們，共議產業前沿技術發展新態勢，共謀新發展。
??
論壇同期，特別設有先進半導體技術應用專業展區，聚焦第三代半導體產業鏈，提供一個交流合作的平臺，助力捕捉合作新機遇。
?值得一提的是，重慶是我國重要的電子信息產業基地之一，功率半導體領域表現突出，已經聚集了如華潤微電子、安意法半導體、重慶芯聯微等多家大型芯片工廠，形成了完整的產業鏈。論壇期間，組委會將有序組織參會代表實地參觀考察安意法半導體、華潤微，深入發掘合作機會，共贏發展，機會難得，不容錯過。?
（論壇內容詳情，敬請關注半導體產業網、第三代半導體公號）