3月10日，上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”）正式推出650V硅基氮化鎵增強型（E-mode）功率工藝代工平臺。該平臺憑借高頻運行效率、超低柵極電荷及低導通電阻等卓越特性，為新一代高速、高效功率器件應用提供了優異的解決方案。基于該工藝平臺代工的產品可廣泛應用于消費電子、工業自動化、數據中心及新能源汽車等領域，展現出強大的市場潛力。 

該工藝平臺采用P帽層柵極和基于化學機械平坦化的鎢栓/鋁集成電路互聯工藝，實現了氮化鎵形貌的精準控制與低表面態。HTRB/HTGB/DHTOL等關鍵可靠性指標符合JEDEC標準，確保了該平臺制造的器件能夠長期穩定運行。 

此外，通過該平臺制造的器件性能極具競爭力：低比導通電阻（Rsp）約為350mΩ·mm²，優異的品質因數（Ron·Qg）~300mΩ·nC,實現了低開關損耗與導通損耗的雙重突破，為客戶帶來了顯著的成本效益和性能提升。

新微半導體是一家化合物半導體的代工企業，為客戶提供前期設計支持服務，確保產品性能與可靠性達到要求。目前，基于該平臺制造的樣片性能參數已達到業內先進水平，并通過多家客戶的嚴苛測試，有效加速客戶產品的商業化進程。

未來，新微半導體將進一步加大研發投入，提供更具成本效益和高效能的解決方案，進一步提升產品可靠性，滿足市場對更快、更輕和更具能源效率電子產品的需求。