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2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇
（CASICON 2023）
尊敬的各有關(guān)單位：
第三代半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)、“東數(shù)西算”戰(zhàn)略和保障國家產(chǎn)業(yè)安全、經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展的重要支撐。隨著5G、新能源汽車等市場發(fā)展，第三代半導(dǎo)體的需求規(guī)模保持高速增長。特別是近兩年碳化硅、氮化鎵功率器件的采用在眾多市場快速增長，覆蓋可再生能源與儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)電源、牽引和變速驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域，可帶來更小型、更輕量、更具經(jīng)濟(jì)效益的設(shè)計(jì)，并更高效率地實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換，從而賦能不計(jì)其數(shù)的新型清潔能源應(yīng)用，在全球朝向可持續(xù)電氣化轉(zhuǎn)型中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。我國目前在以碳化硅、氮化鎵為首的第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域已經(jīng)形成了完整的產(chǎn)業(yè)鏈，從材料、裝備及工藝技術(shù)等方面也均實(shí)現(xiàn)了部分國產(chǎn)化替代，占據(jù)了一定的市場份額，但在材料、工藝與裝備一體化、大規(guī)模量產(chǎn)能力、器件性能與穩(wěn)定性等方面與國際先進(jìn)水平仍存在一定差距，要實(shí)現(xiàn)碳化硅關(guān)鍵裝備及工藝技術(shù)完全的國產(chǎn)自主可控，仍需產(chǎn)業(yè)上下游各方加強(qiáng)協(xié)作，攜手攻克難關(guān)。
為強(qiáng)化自主科技創(chuàng)新，提升核心裝備國產(chǎn)化供給能力，在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國電子科技集團(tuán)第四十八研究所、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）、中南大學(xué)聯(lián)合組織籌辦，擬于5月5-7日在長沙市舉辦“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”，會(huì)議圍繞 “碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導(dǎo)體”，邀請(qǐng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高校科研院所代表深入研討，攜手促進(jìn)國內(nèi)碳化硅及其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)組委會(huì)
2023年4月
》》組織機(jī)構(gòu)
指導(dǎo)單位
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
主辦單位
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
承辦單位
中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）
中南大學(xué)
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
協(xié)辦單位
瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
中車時(shí)代電氣股份有限公司
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》》主題方向
1、宏觀趨勢與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
·碳化硅全球發(fā)展趨勢、現(xiàn)狀及應(yīng)用前景；
·國內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策分析、產(chǎn)業(yè)需求研判；
·國產(chǎn)裝備現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展痛點(diǎn)及未來展望；
·資金、人才、技術(shù)、市場等關(guān)鍵要素分析；
2、技術(shù)方向與產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)
·碳化硅晶體生長、加工工藝及相關(guān)裝備技術(shù)；
·外延材料生長、芯片制造等核心工藝技術(shù)及關(guān)鍵裝備
·封裝材料、工藝及裝備技術(shù)；
·氮化鎵、氧化鎵等新型半導(dǎo)體材料、工藝和裝備探索；
3、產(chǎn)業(yè)配套及供應(yīng)鏈
·襯底、外延、器件等設(shè)計(jì)軟件及檢測裝備；
·石墨/涂層/清洗/特氣等配套材料、工藝、裝備的協(xié)同優(yōu)化；
·產(chǎn)品性能/良率/可靠性等要素分析與改進(jìn)；
·生產(chǎn)流程控制、工藝優(yōu)化與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新；
4、規(guī)模應(yīng)用與市場探索
·車用碳化硅/氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展；
·碳化硅功率器件技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景；
·產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求；
·市場動(dòng)力、核心競爭力塑造與面臨挑戰(zhàn)。
》》時(shí)間地點(diǎn)
論壇時(shí)間：2023年5月5-7日
論壇地點(diǎn)：湖南·長沙
》》日程安排(具體報(bào)告陸續(xù)更新中)
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時(shí)間 |
主要安排 |
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5月5日 |
09:00 13:00 |
報(bào)到&資料領(lǐng)取 |
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13:30 17:30 |
開幕大會(huì)+合影 |
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18:00 21:00 |
歡迎晚宴 |
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5月6日 |
09:00 12:00 |
分論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù) |
分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體 |
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12:00 13:30 |
午餐&交流 |
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13:30 17:30 |
分論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù) |
分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體 |
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18:30 20:30 |
晚餐&結(jié)束 |
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5月7日 |
08:30 12:00 |
商務(wù)考察活動(dòng)&返程 （中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所或泰科天潤或湖南三安半導(dǎo)體） |
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備注：僅供參考，以現(xiàn)場為準(zhǔn)。 |
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備注：詳細(xì)日程持續(xù)確認(rèn)&更新，最終以現(xiàn)場為準(zhǔn)，敬請(qǐng)關(guān)注！
》》報(bào)告主題
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報(bào)告主題安排 |
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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及挑戰(zhàn) |
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第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備的現(xiàn)狀及國產(chǎn)化思考 |
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碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備及國產(chǎn)化進(jìn)展 |
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SiC器件和模塊的最新進(jìn)展 |
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第三代半導(dǎo)體材料外延生長裝備現(xiàn)狀及展望 |
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碳化硅涂層石墨盤技術(shù) |
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8英寸碳化硅單晶進(jìn)展 |
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國產(chǎn)MBE 設(shè)備進(jìn)展 |
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SiC襯底制備技術(shù)現(xiàn)狀、趨勢及工藝研究 |
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SiC電力電子器件制造及其典型裝備需求 |
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SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備研發(fā) |
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Sic MOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) |
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激光剝離設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)展 |
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先進(jìn)碳化坦涂層技術(shù) |
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車用碳化硅技術(shù)進(jìn)展 |
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銀燒結(jié)設(shè)備技術(shù) |
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SiC高溫?zé)崽幚碓O(shè)備及工藝應(yīng)用 |
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激光退火技術(shù) |
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SiC外延裝備及技術(shù)進(jìn)展 |
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碳化硅離子注入設(shè)備技術(shù) |
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SiC晶體生長、加工技術(shù)和裝備 |
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拋光裝備國產(chǎn)化之路 |
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8寸碳化硅外延制備技術(shù) |
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8寸碳化硅襯底技術(shù)進(jìn)展 |
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第三代半導(dǎo)體材料生長裝備與工藝自動(dòng)化 |
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化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案 |
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GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展 |
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Si襯底GaN基功率電子材料及器件的研究 |
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GaN晶片的光電化學(xué)機(jī)械拋光加工 |
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第三代半導(dǎo)體材料加工設(shè)備及其智能化 |
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激光技術(shù)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用 |
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碳化硅單晶生長用石墨技術(shù)? |
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碳化硅缺陷檢測 |
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碳化硅基氮化鎵HEMT技術(shù) |
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第三代半導(dǎo)體器件工藝設(shè)備國產(chǎn)化探討 |
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碳化硅半導(dǎo)體功率器件測試方案 |
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碳化硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求 |
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光隔離探頭測試技術(shù) |
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電子特氣在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用 |
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車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件技術(shù)解析 |
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SiC單晶制備與裝備研發(fā)進(jìn)展 |
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半導(dǎo)體電子特氣國產(chǎn)化進(jìn)展 |
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半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)展 |
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碳化硅IGBT 技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景 |
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車用氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展 |
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第三代半導(dǎo)體二手設(shè)備市場現(xiàn)狀與存在問題 |
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硅基氮化鎵MOCVD設(shè)備技術(shù)進(jìn)展及趨勢 |
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圓桌討論：裝備國產(chǎn)化？存在的問題&發(fā)展建議? |
備注：以上報(bào)告主題僅供參考，報(bào)告嘉賓正陸續(xù)確認(rèn)中，后續(xù)將集中公布。
》》注冊報(bào)名：
1、注冊費(fèi)2500元，4月29日前注冊報(bào)名2200元（含會(huì)議資料袋，5月5日歡迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐）。企業(yè)展位預(yù)定中，請(qǐng)具體請(qǐng)咨詢。
2、交通費(fèi)、住宿費(fèi)等自理。
》》繳費(fèi)方式
1、通過銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會(huì)展中心支行
賬 號(hào)：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
2、線上繳費(fèi)
備注：在線注冊平臺(tái)注冊請(qǐng)務(wù)必填寫正確，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。
3、現(xiàn)場繳費(fèi)（接受現(xiàn)金和刷卡）
4、收款單位：本屆論壇指定“北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司”作為會(huì)議唯一收款單位。
》》報(bào)告及論文發(fā)表聯(lián)系：
Frank 賈：18310277858，jiaxl@casmita.com
》》會(huì)議報(bào)名/參展/贊助咨詢：
為促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)充分展示交流，組委會(huì)開辟出少量展示席位，數(shù)量有限，預(yù)訂從速。詳情可咨詢會(huì)議聯(lián)系人。
賈先生：18310277858，jiaxl@casmita.com
張女士：13681329411，zhangww@casmita.com
張先生：18601159985，zhangtk@casmita.com
?》》協(xié)議酒店
會(huì)議酒店： 長沙圣爵菲斯大酒店（湖南省長沙市開福區(qū)三一大道471號(hào)）
協(xié)議房價(jià)：
·五星酒店房間：大/ 雙 床房 含雙早? 468元/晚
·三星酒店房間：大/雙 床房 含雙早? 258元/晚
（備注：三星酒店單獨(dú)用餐區(qū)用早餐，不能享用酒店健身房和游泳池，具體可咨詢酒店聯(lián)系人）
預(yù)訂聯(lián)系人：李子都 圣爵菲斯大酒店?duì)I銷經(jīng)理
電話:14726987349
郵箱:136379346@qq.com
備注：預(yù)定客房時(shí)提“碳化硅”或“半導(dǎo)體會(huì)議”均可享受協(xié)議價(jià)格。