化合物半導(dǎo)體是指以SiC、GaN、GaAs為代表的的寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于高壓、高溫、高頻場景。隨著應(yīng)用場景不斷增加，對于化合物半導(dǎo)體的需求越來越大，化合物半導(dǎo)體發(fā)展迅速，因此，其芯片產(chǎn)能及制造能力就顯得極為重要。SiC零部件是化合物半導(dǎo)體芯片制造過程中必不可少的高頻耗材，也是唯一接觸晶圓片的零部件，并對芯片性能、制造成本及產(chǎn)能具有重要的影響。
2023年5月5-7日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”將于長沙召開。論壇在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國電子科技集團(tuán)第四十八研究所聯(lián)合組織籌辦。
本次論壇上，湖南德智新材料有限公司副總經(jīng)理、首席技術(shù)官余盛杰將出席論壇并帶來《半導(dǎo)體設(shè)備用SiC零部件開發(fā)及應(yīng)用》的主題報告，將重點(diǎn)分享化合物半導(dǎo)體設(shè)備用SiC零部件性能要求及其對芯片制造的影響，分享德智新材開發(fā)的SiC零部件在化合物半導(dǎo)體芯片制造中應(yīng)用情況，同時展望未來SiC零部件的發(fā)展方向。
德智新材也誠摯歡迎各研究院所、高校、產(chǎn)業(yè)鏈企事業(yè)單位參與討論。
嘉賓簡介
余盛杰，10年+新材料領(lǐng)域科研、產(chǎn)品開發(fā)及管理經(jīng)驗，師從國內(nèi)SiC資深博導(dǎo)陳照峰教授，南京航空航天大學(xué)材料學(xué)博士，湖南德智新材料有限公司創(chuàng)始人之一，現(xiàn)任副總經(jīng)理，湖南省2020年產(chǎn)業(yè)項目建設(shè)引進(jìn)100個科技創(chuàng)新人才，湖南省株洲市“雙創(chuàng)人才”。主要從事CVD SiC薄膜、SiC納米線、C/SiC及SiC/SiC復(fù)合材料等領(lǐng)域的研究，發(fā)表SCI等論文20余篇，其中SCI收錄16篇，EI論文1篇，在SiC涂層領(lǐng)域具有扎實(shí)的研究基礎(chǔ)及豐富的技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。
關(guān)于德智新材
湖南德智新材料有限公司是一家專注于半導(dǎo)體用SiC涂層石墨耗材研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家級高新技術(shù)企業(yè)。公司擁有先進(jìn)自主的裝備技術(shù)和一支高度專業(yè)的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊，具備石墨純化、精密加工、精密檢測、CVD涂層等完整的生產(chǎn)鏈，在SiC涂層石墨工件設(shè)計、加工及CVD工藝等方面具有核心專利技術(shù)和競爭優(yōu)勢。目前，德智新材已開發(fā)碳化硅外延設(shè)備用組件、氮化鎵外延設(shè)備用組件、大硅片外延設(shè)備用組件、刻蝕環(huán)、晶舟等一系列半導(dǎo)體用SiC涂層石墨耗材產(chǎn)品。德智新材將持續(xù)投入和優(yōu)化研發(fā)布局，不斷提高產(chǎn)品核心競爭力，持續(xù)提供高品質(zhì)產(chǎn)品，為客戶創(chuàng)造更大價值。
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組織機(jī)構(gòu)
指導(dǎo)單位
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
主辦單位
極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.casmita.com)
承辦單位
中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
協(xié)辦單位
湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
中車時代電氣股份有限公司
中南大學(xué)
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贊助支持
湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
寧波恒普真空科技股份有限公司
蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
忱芯科技（上海）有限公司
蘇州博宏源機(jī)械制造有限公司
江蘇晶工半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
蘇州德龍激光股份有限公司
北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
布魯克（北京）科技有限公司
山東海金石墨科技有限公司
湖南德智新材料有限公司
浙江凱威碳材料有限公司
哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司
浙江飛越機(jī)電有限公司
中電科風(fēng)華信息裝備股份有限公司
吉永商事株式會社
鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司
北京媯水科技有限公司
昂坤視覺（北京）科技有限公司
山西中電科新能源技術(shù)有限公司
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主題方向
1、宏觀趨勢與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
·碳化硅全球發(fā)展趨勢、現(xiàn)狀及應(yīng)用前景；
·國內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策分析、產(chǎn)業(yè)需求研判；
·國產(chǎn)裝備現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展痛點(diǎn)及未來展望；
·資金、人才、技術(shù)、市場等關(guān)鍵要素分析；
2、技術(shù)方向與產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)
·碳化硅晶體生長、加工工藝及相關(guān)裝備技術(shù)；
·外延材料生長、芯片制造等核心工藝技術(shù)及裝備
·封裝材料、工藝及裝備技術(shù)；
·氮化鎵、氧化鎵等新型半導(dǎo)體材料、工藝和裝備；
3、產(chǎn)業(yè)配套及供應(yīng)鏈
·襯底、外延、器件等設(shè)計軟件及檢測裝備；
·石墨/涂層/清洗/特氣等配套材料、工藝裝備協(xié)同優(yōu)化；
·產(chǎn)品性能/良率/可靠性等要素分析與改進(jìn)；
·生產(chǎn)流程控制、工藝優(yōu)化與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新；
4、規(guī)模應(yīng)用與市場探索
·車用碳化硅/氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展；
·碳化硅功率器件技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景；
·產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求；
·市場動力、核心競爭力塑造與面臨挑戰(zhàn)。
時間地點(diǎn)
2023年5月5-7日
湖南·長沙·圣爵菲斯大酒店
日程安排(具體報告陸續(xù)更新中)
開幕大會日程安排
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時間 |
主要安排 |
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5月5日 |
09:00-13:00 |
報到&資料領(lǐng)取 |
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13:30-17:30 |
開幕大會+圓桌對話 |
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18:00-21:00 |
歡迎晚宴 |
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5月6日 |
09:00-12:00 |
分論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù) |
分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體 |
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12:00-13:30 |
午餐&交流 |
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13:30-17:30 |
分論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù) |
分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體 |
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18:30-20:30 |
晚餐&結(jié)束 |
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5月7日 |
09:00-12:00 |
商務(wù)考察活動&返程 （中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所或泰科天潤或湖南三安半導(dǎo)體） |
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備注：僅供參考，以現(xiàn)場為準(zhǔn)。 |
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平行論壇1：
備注：目前報告順序不分先后，最終日程將持續(xù)更新，敬請關(guān)注！
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平行論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù) |
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時間：第二天 • 5月6日 • 09:00-12:00,14:00-17:30 |
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主題：SiC MOS器件可靠性制造技術(shù)及裝備 嘉賓：王德君--大連理工大學(xué)教授 |
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主題：國產(chǎn)化碳化硅注入機(jī)發(fā)展情況 嘉賓：羅才旺--北京爍科中科信電子裝備有限公司副總經(jīng)理 |
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主題：SiC MOSFET器件及其應(yīng)用研究的思路和探索 嘉賓：王俊--湖南大學(xué)超大功率半導(dǎo)體研究中心主任，教授 |
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主題：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局 嘉賓：湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
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主題：適配xEV動力域控制器的SIC電機(jī)控制器 嘉賓：陳文杰--陽光動力電控研發(fā)中心總監(jiān) |
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主題：碳化硅器件與水冷散熱器的低溫直連技術(shù)探索 嘉賓：梅云輝--天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院 院長 |
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主題：SIC晶圓全制程質(zhì)量控制解決方案 嘉賓：鄒偉金--蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理 |
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主題：碳化硅長晶爐石墨熱場結(jié)構(gòu)的國產(chǎn)化探索 嘉賓：趙麗麗--哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長 |
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主題：碳化硅功率半導(dǎo)體模塊精準(zhǔn)動靜態(tài)特性與可靠性測試解決方案 嘉賓：陸 熙--忱芯科技技術(shù)總監(jiān) |
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主題：碳化硅外延核心技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用 嘉賓：孔令沂--杭州海乾半導(dǎo)體有限公司董事長 |
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主題：碳化硅材料及器件減薄工藝解決方案 嘉賓：劉國敬--北京中電科電子裝備有限公司副總經(jīng)理 |
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主題：碳化硅晶圓減薄裝備技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢 嘉賓：尹韶輝--湖南大學(xué)教授 |
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主題：大規(guī)模量產(chǎn)型碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展（TBD） 嘉賓：方子文--AIXTRON SE中國區(qū)副總經(jīng)理 |
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主題：碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用挑戰(zhàn) 嘉賓：TBD |
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主題：碳化硅單晶用碳化鉭技術(shù)（TBD） 嘉賓：寧波恒普真空科技股份有限公司 |
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主題：先進(jìn)拋光技術(shù)助力量產(chǎn)型大尺寸碳化硅制造 嘉賓：孫占帥--北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司工藝部部長 |
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主題：半導(dǎo)體設(shè)備用SiC部件材料開發(fā)及應(yīng)用 嘉賓：余盛杰--湖南德智新材料有限公司CTO |
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主題：碳化硅同質(zhì)外延層厚度無損紅外反射光譜法測試分析 嘉賓：雷浩東--布魯克（北京）科技有限公司應(yīng)用工程師 |
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備注：以上報告順序不分先后，最終日程將持續(xù)更新，敬請關(guān)注！ |
備注：平行論壇日程安排正在逐一敲定中，后續(xù)每日將持續(xù)更新！
擬參會單位
山東天岳，天科合達(dá)，河北同光，山西爍科晶體，南砂晶圓，東莞天域，英飛凌，安森美， 瀚天天成，瞻芯電子，清純半導(dǎo)體，蔚來汽車，中南大學(xué)，湖南大學(xué)，基本半導(dǎo)體，士蘭微，高意半導(dǎo)體，中科院半導(dǎo)體所，中科院物理所，武漢大學(xué)，武漢理工大學(xué)，國防科技大學(xué)，AIXTRON SE, 中電科四十六所，中電科二所，中電科十三所，中電科五十五所，晶越半導(dǎo)體，小鵬汽車，山東大學(xué)，理想汽車，長安汽車、超芯星，中電化合物，世紀(jì)金光，浙江大學(xué)，西安交通大學(xué)，復(fù)旦大學(xué)、海乾半導(dǎo)體、富士電機(jī)、三菱電機(jī).....
更多報主題安排
平行論壇報告主題安排
1.第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及挑戰(zhàn)
2.第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備的現(xiàn)狀及國產(chǎn)化思考
3.碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備及國產(chǎn)化進(jìn)展
4.SiC器件和模塊的最新進(jìn)展
5.第三代半導(dǎo)體材料外延生長裝備現(xiàn)狀及展望
6.碳化硅涂層石墨盤技術(shù)
7.8英寸碳化硅單晶進(jìn)展
8.國產(chǎn)MBE 設(shè)備進(jìn)展
9.SiC襯底制備技術(shù)現(xiàn)狀、趨勢及工藝研究
10.SiC電力電子器件制造及其典型裝備需求
11.SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備研發(fā)
12.SiC MOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計
13.激光剝離設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)展
14.先進(jìn)碳化坦涂層技術(shù)
15.車用碳化硅技術(shù)進(jìn)展
16.銀燒結(jié)設(shè)備技術(shù)
17.SiC高溫?zé)崽幚碓O(shè)備及工藝應(yīng)用
18.激光退火技術(shù)
19.SiC外延裝備及技術(shù)進(jìn)展
20.碳化硅離子注入設(shè)備技術(shù)
21.SiC晶體生長、加工技術(shù)和裝備
22.拋光裝備國產(chǎn)化之路
23.8寸碳化硅外延制備技術(shù)
24.8寸碳化硅襯底技術(shù)進(jìn)展
25.第三代半導(dǎo)體材料生長裝備與工藝自動化
26.化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案
27.GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展
28.Si襯底GaN基功率電子材料及器件的研究
29.GaN晶片的光電化學(xué)機(jī)械拋光加工
30.第三代半導(dǎo)體材料加工設(shè)備及其智能化
31.激光技術(shù)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用
32.碳化硅單晶生長用石墨技術(shù)
33.碳化硅/氧化鎵等缺陷檢測
34.碳化硅基氮化鎵HEMT技術(shù)
35.金剛石半導(dǎo)體技術(shù)
36.碳化硅半導(dǎo)體功率器件測試方案
37.碳化硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求
38.光隔離探頭測試技術(shù)
39.電子特氣在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用
40.金剛石單晶生長技術(shù)
41.SiC單晶制備與裝備研發(fā)進(jìn)展
42.半導(dǎo)體電子特氣國產(chǎn)化進(jìn)展
43.半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)展
44.碳化硅IGBT 技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景
45.車用氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展
46.第三代半導(dǎo)體二手設(shè)備市場現(xiàn)狀與存在問題
47.硅基氮化鎵MOCVD設(shè)備技術(shù)進(jìn)展及趨勢
48.氧化鎵單晶/襯底外延及功率器件技術(shù)
備注：以上部分報告主題僅供參考，報告嘉賓正陸續(xù)確認(rèn)中，后續(xù)將集中公布。
注冊報名：
1、注冊費(fèi)2500元，4月29日前注冊報名2200元（含會議資料袋，5月5日歡迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐）。企業(yè)展位預(yù)定中，請具體請咨詢。
2、交通費(fèi)、住宿費(fèi)等自理。
展覽展示
為促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)充分展示交流，組委會開辟出少量展示席位，數(shù)量有限，預(yù)訂從速。詳情可咨詢會議聯(lián)系人。
繳費(fèi)方式
1、通過銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
2、線上注冊繳費(fèi)
備注：在線注冊平臺注冊請務(wù)必填寫正確，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。
3、現(xiàn)場繳費(fèi)（接受現(xiàn)金和刷卡）
4、收款單位：本屆論壇指定“北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司”作為會議唯一收款單位。
報告及論文發(fā)表聯(lián)系：
Frank 賈：18310277858，jiaxl@casmita.com
會議報名/參展/贊助咨詢：
賈先生：18310277858，jiaxl@casmita.com
張女士：13681329411，zhangww@casmita.com
張先生：18601159985，zhangtk@casmita.com
協(xié)議酒店：
會議酒店： 長沙圣爵菲斯大酒店
酒店地址：湖南省長沙市開福區(qū)三一大道471號
協(xié)議房價：
·五星酒店房間：大/ 雙 床房 含雙早 468元/晚
·三星酒店房間：大/雙 床房 含雙早 258元/晚
（備注：三星酒店單獨(dú)用餐區(qū)用早餐，不能享用酒店健身房和游泳池，具體可咨詢酒店聯(lián)系人）
預(yù)訂聯(lián)系人：李子都 圣爵菲斯大酒店營銷經(jīng)理
電話:14726987349
郵箱:136379346@qq.com