?9月2日），蘇州工業園區在桑田科學島舉辦國家生物藥技術創新中心、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）總部大樓開工儀式。
江蘇省委常委、蘇州市委書記曹路寶，江蘇省副省長方偉，中國工程院院士、國家生物藥技術創新中心名譽主任詹啟敏，蘇州市委副書記、市長吳慶文，江蘇省科技廳副廳長蔣洪，蘇州市委常委、園區黨工委書記沈覓，蘇州市副市長張橋，國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）副主任徐科，蘇州市政府秘書長俞愉等領導出席本次儀式。
▲曹路寶、方偉、吳慶文、蔣洪、沈覓、張橋、詹啟敏、徐科、俞愉
共同為奠基石培土
桑田科學島定位為一基地、兩中心、三示范。“一基地”指的是科技創新策源基地 ；“兩中心”指的是國家生物藥技術創新中心 、國家第三代半導體技術創新中心 （蘇州）總部；“三示范”指的是產學研融合發展示范區、產業制度創新示范區、國際科技創新合作示范區。
國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）（以下簡稱“國創中心”）作為兩中心之一，總部位于整個桑田科學島的核心區域，將致力于打造核心產業展示區，未來創新中心示范標桿。蘇州工業園區精心繪制產業藍圖，廣泛集聚資源要素，著力優化產業生態，積極構建創新平臺，力爭建成國內一流，世界領先的國家第三代半導體技術創新中心，打造國家先進納米創新產業集群。
國創中心于2021年3月由科技部批復建設，由蘇州第三代半導體技術國創中心（事業單位）抓總統籌，江蘇第三代半導體研究院主體承建，蘇州納米科技發展有限公司保障載體建設開發。目前由中國科學院院士郝躍擔任中心主任，截至目前，已承擔上級研發項目10項，完成4款電路芯片設計，在氮化鎵單晶、氮化鎵外延片等方面取得重要突破，部分指標國際領先，累計申請專利260多件；組建省人才攻關聯合體，集聚以院士為引領的40多位高層次領軍人才，核心團隊規模近300人；在全國范圍設立23個聯合研發中心，組織成立國產化裝備聯盟，與廈門大學、復旦大學等共建人才實訓基地；建設材料生長創新平臺、測試分析與服役評價平臺，累計服務客戶250多家，完成微波封裝測試中試線一期建設；設立3億元產業基金，已為5個優質項目提供資金保障。
▲吳慶文在開工儀式上致辭，代表市委市政府向國創中心總部的開工表示祝賀，向各界給予蘇州經濟社會發展的大力支持表示感謝。他說，近年來，蘇州深入實施創新驅動發展戰略，加快建設成為一座創新資源密集、創新活力迸發、創新生態一流的城市。技術創新中心是創新資源的集中承載地，是科技創新的戰略力量。蘇州工業園區和市有關部門要深入學習貫徹習近平總書記“建設開放創新的世界一流高科技園區”的重要指示精神，全力為國創中心建設發展提供有力保障、創造最優條件。希望國創中心緊扣國家目標和重大戰略需求，進一步強化組織運行、推進協同創新，吸引集聚更多高水平項目和人才，形成更多原創性、突破性的高價值成果。熱忱歡迎廣大專家學者、社會各界與我們開展更深層次合作，共同把國創中心打造成為國內領先、國際一流的創新平臺，更好發揮國家戰略科技力量的引領示范作用。
▲國創中心總部效果圖
國創中心總部項目總用地面積為51482.84平方米，建筑面積20.9萬平方米，建筑高度為99.95米，包含1#科研塔樓（19F）、2#科研裙樓（8F）、3#產業化基地（8F）、4#商業樓（4F），計劃于2026年8月竣工交付。建筑包含科研孵化、潔凈實驗室、配套輔助設施用房，涵蓋材料生長創新、器件工藝與封裝測試、器件模塊與應用實驗、測試分析與服務評價等，涉及長晶、切磨拋、外延、器件、封裝、測試、模塊等第三代半導體全產業鏈。
國創中心將建設四大平臺
（一）材料生長創新平臺
▲MOCVD生長的基本過程
材料生長過程對材料的晶體質量以及后續器件的性能具有決定性影響。材料生長創新平臺著眼于研發高質量外延產品及提高外延技術，并為廣大客戶提供外延片相關服務。基于高性能MOCVD設備，已成功研發出包括2-8英寸藍寶石襯底上GaN模板、2-6英寸藍寶石襯底上Micro-LED外延片、2-4英寸GaN單晶襯底上Micro-LED外延片、2-6英寸SiC&Si襯底上GaN HEMT外延片等多款產品，可用于新型顯示、5G通信、電力電子、環境與健康等多個領域。目前，材料生長平臺已擁有完善的設備和專業的研發團隊，可生產研發一系列應用于高端電力電子器件及光電器件的外延產品。
（二）測試分析與服役評價公共服務平臺
▲測試平臺的檢測分析技術及能力
測試分析與服役評價公共服務平臺是江蘇第三代半導體研究院與中科院蘇州納米技術與納米仿生研究院共建的大型公共服務平臺，在支撐研究院相關研發任務及合作項目的基礎上，為國內企業和研發機構提供專業高效的測試分析服務。
平臺由一支近30人的經驗豐富的專業團隊來運營，包括11位高級職稱專家，12位博士和博士后，以及15位擁有十年以上經驗的一線骨干。測試范圍包括半導體材料、光電子和微電子材料、LED器件、LD器件、HEMT器件等；具備針對特定材料和器件進行綜合檢測和分析的能力。目前已經具有“戰略性先進電子材料”第三方檢測機構、江蘇省納米測試分析創新服務中心、江蘇省納米測試分析中心、江蘇省納米技術產業產學研聯合創新服務中心等檢測資質。
（三）器件工藝與封裝平臺
▲GaN器件制備的工藝流程
GaN器件的制作工藝主要包括：歐姆接觸、MESA刻蝕、表面鈍化、柵槽刻蝕、柵極金屬蒸發、二次鈍化、互連開孔、互連金屬蒸發、空氣橋橋墩光刻、空氣橋金屬蒸鍍、背孔刻蝕和背金蒸鍍等。圖3演示了器件制作的整個工藝流程。
器件工藝與封裝平臺面向第三代半導體先進工藝，獨立建設90nm節點的完整工藝線，建成集光、機、電器件工藝能力于一體的綜合工藝平臺，全面支撐光電子工藝、微電子工藝、光電集成工藝、光機電集成工藝，突破國際領先的器件工藝技術。
（四）模塊設計與集成應用平臺
▲實現GaN器件模塊集成的工藝過程
具有2DEG的GaN器件是耗盡型的，而要實現高可靠性的電力電子系統，要求器件為增強型，因此需要將耗盡型的GaN HEMT器件與增強型的Si MOSFET器件集成在一起。圖4顯示了這種模塊集成的具體工藝過程。
模塊設計與集成應用平臺基于自主可控的材料和器件，開發新型光電子和微電子芯片封裝工藝、探索開發集成工藝，傳統工藝借鑒與新型工藝開發相結合，搭建模塊設計開發、集成應用平臺，以市場為牽引，聯合龍頭企業共建，探索支撐未來智能時代的半導體綜合平臺。
未來，國創中心將進一步瞄準國家和產業發展全局的創新需求，以關鍵技術研發為核心使命，圍繞第三代半導體領域國家重大戰略任務部署，開展關鍵技術攻關，健全以企業為主體、產學研深度融合的技術創新體系，構建共建共享、開放協同創新網絡，推動科技成果轉移轉化與產業化，為第三代半導體產業發展提供源頭技術供給，提升我國第三代半導體領域產業基礎能力和產業鏈現代化水平。
來源：蘇州日報 、蘇州納米城