得益于高功率、高頻率和高溫環境下的眾多卓越性能，氮化鎵功率電子器件技術在具有廣闊的發展前景。技術發展具有持續的創新和應用前景，將推動多個領域的技術發展，并滿足未來對高性能、高效能轉換和小型化的需求。?
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技術分論壇: 氮化鎵功率電子器件 Technical?Sub-Forum: Technologies for GaN Power Electronics Devices |
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時間：2023年11月29日13:30-17:30 地點：廈門國際會議中心酒店?? 大同廳 Time: Nov 29, 13:30-17:30 Location:?Xiamen International Conference Center ? Datong?Hall |
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協辦支持/Co-organizer: 三安光電股份有限公司 ?San’an Co.,ltd 中微半導體設備（上海）股份有限公司 ??Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China（AMEC） |
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屏幕尺寸?/ Slides Size：16:9 |
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主持人 |
張波/ZHANG Bo 電子科技大學集成電路研究中心主任/教授 Profssor, University of Electronic Science and Technology of China 陳敬/CHEN Jing ? 香港科技大學講席教授 Chair Professor, Department of Electronic and Computer Engineering、the Hong Kong University of Science and Technology 吳偉東/Wai Tung NG ? 加拿大多倫多大學教授、多倫多納米制造中心主任 Director?and Professor , Toronto Nanofabrication Centre, University of Toronto |
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13:25-13:30 |
嘉賓致辭 /?Opening?Address |
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13:30-13:50 |
GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管 GaN-based monolithic electronics integrated using complementary metal-oxide-semiconductor D-mode and E-mode high-electron mobility transistors 李清庭--臺灣元智大學前副校長、臺灣成功大學特聘教授 Ching-Ting LEE--Distinguish professor of Cheng Kung University,?Twaiwan |
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13:50-14:10 |
GaN濺射技術進展 Progress of sputtering technology in GaN 牛山史三--日本愛發科株式會社首席技術官 USHIYAMA Fumitada--CTO?of ULVAC?Co.,ltd |
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14:10-14:30 |
高性能Si基GaN器件和Ga2O3器件研究進展 Research progress in high-performance Si-based GaN devices and Ga2O3 devices 于洪宇--南方科技大學深港微電子學院院長、教授 YU Hongyu--Professor?& Dean of The School of Microelectronics, Southern University of Science and Technology |
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14:30-14:50 |
氮化鎵功率半導體在中高壓領域的進展 Progress of GaN power semiconductors in the medium and high voltage field 黎子蘭--廣東致能科技有限公司總經理 LI Zilan--General Manager of GuangDong Ziener Technology Co.,Ltd |
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14:50-15:10 |
用于電源應用的橫向和垂直GaN器件開發 Lateral and Vertical GaN device development for power applications 游淑珍--西安電子科技大學教授 YOU Shuzhen--Professor of Xidian University |
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15:10-15:35 |
GaN基Buck-Boost LLC變換器的功率補償瞬態響應控制策略 A Transient Response Control Strategy with Power Compensation for GaN-based Buck-Boost LLC Converters 劉琦--加拿大多倫多大學 LIU QI--University of Toronto? |
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15:35-15:50 |
茶歇 / Coffee Break |
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15:50-16:10 |
GaN MEMS/NEMS應變調控諧振器 GaN MEMS/NEMS resonator through strain engineering 桑立雯--日本國立材料研究所獨立研究員 SANG Liwen--Independent Scientist?of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan |
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16:10-16:25 |
增強型功率氮化鎵器件結構設計進展 Progress in Structural Design of Enhanced-Mode Power GaN Devices 朱仁強--成都氮矽科技有限公司器件設計總監 ZHU Renqiang--Design Director of Chengdu DanXi Technology Co.,Ltd |
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16:25-16:40 |
基于電子模式GaN的MIS-HEMTS中的工藝和可靠性問題 Process and Reliability Issues in E-Mode GaN-based MIS-HEMTS 黃火林--大連理工大學教授 HUNAG Huolin--Professor?of?Dalian University of Technology |
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16:40-16:55 |
具復合柵極和階梯結構的新型GaN垂直晶體管研究 Research on a Novel GaN Vertical Transistor with Composite Gate and Stepped Structure 尹以安--華南師范大學研究員 YIN Yi'an--Professor of South China Normal University |
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16:55-17:10 |
低成本垂直GaN功率器件?Low-Cost Vertical GaN Power Devices 劉新科--深圳大學副教授 LIU Xinke--Associate Professor of Shenzhen University |
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17:10-17:25 |
原位N2或H2/N2等離子體預處理全凹柵增強型LPCVD-Si3N4/PELD-AlN/GaN-MIS-HEMT中陷阱態的研究 Investigation of the Trap States in Fully-Recessed Normally off LPCVD-Si3N4/PEALD-AlN/GaN MIS-HEMT with in-Situ N2 or H2/N2 Plasma Pretreatment 陶明--湖南大學電氣與信息工程學院助理教授 TAO Ming--Assistant Professor,College of Electrical and Information Engineering, Hunan University |
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17:25-17:40 |
耗盡型AlGaN/GaN HEMT器件的氫效應及可靠性研究 A Study on The Hydrogen Effect and Reliability of a Depletion-Mode AlGaN/GaN HEMT Device 王傳舉--沙特國王科技大學 ChuanJu Wang--King Abdullah University of Science and Technology |
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17:40-17:55 |
NiO/AlGaN界面載流子輸運與高壓RESURF p-NiO/AlAlGaN/GaN HEMT Carrier transport at NiO/AlGaN interface and high voltage RESURF p-NiO/AlGaN/GaN HEMTs 郭慧--南京大學 GUOHui--Nanjing University |
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17:55-18:10 |
適用于48V應用，具有25至250°C的高溫靈敏度,單片GaN雙管溫度傳感器，Monolithic GaN Two-Transistor Temperature Sensor with high Temperature Sensitivity from 25 to 250 °C for 48 V applications 李昂--西交利物浦大學 LI Ang--Xi'an Jiaotong-Liverpool University |
附論壇詳細信息：
會議時間 : 2023年11月27-30日
會議地點 :中國· 福建 ·廈門國際會議中心
主辦單位：
廈門市人民政府
廈門大學
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）
承辦單位：
廈門市工業和信息化局
廈門市科學技術局
廈門火炬高新區管委會
惠新(廈門)科技創新研究院
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
論壇主題：低碳智聯· 同芯共贏
程序委員會 ：
程序委員會主席團
主席：
張? ?榮--廈門大學黨委書記、教授
聯合主席：
劉? ?明--中國科學院院士、中國科學院微電子研究所所研究員
顧? ?瑛--中國科學院院士、解放軍總醫院教授
江風益--中國科學院院士、南昌大學副校長、教授
李晉閩--中國科學院特聘研究員
張國義--北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授
沈? ?波--北京大學理學部副主任、教授
徐? ?科--江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰--廈門大學講座教授、全球能源互聯網研究院原副院長
盛? ?況--浙江大學電氣工程學院院長、教授
張? ?波--電子科技大學教授
陳? ?敬--香港科技大學教授
徐現剛--山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
吳偉東--加拿大多倫多大學教授
張國旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席執行官兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授
備注：11月15日前注冊報名，享受優惠票價！
＊中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。
＊學生參會需提交相關證件。
＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的5%作為退款手續費。
＊IFWS相關會議：碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術，氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術，碳化功率器件及其封裝技術I、Ⅱ，氮化鎵功率電子器件，氮化鎵射頻電子器件，超寬禁帶半導體技術，化合物半導體激光器與異質集成技術、氮化物紫外技術 ；
＊SSL技術會議：光品質與光健康醫療技術，Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術，半導體照明芯片、封裝及光通信技術，氮化物半導體固態紫外技術，光農業與生物技術,化合物半導體激光器與異質集成技術、氮化物紫外技術 ；
＊IFWS會議用餐包含：28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL會議用餐：27日晚餐、28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐。
線上報名通道：
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組委會聯系方式：
1.投稿咨詢
白老師
010-82387600-602
papersubmission@china-led.net
2.贊助/參會/參展/商務合作
張女士
13681329411
zhangww@casmita.com
賈先生
18310277858
jiaxl@casmita.com
余先生
18110121397
yuq@casmita.com?
協議酒店：
