半導體材料是信息技術產業的基石，氧化鎵（Ga₂O₃）是潛力新星超寬帶隙材料，Ga₂O₃是大功率、高效率、特高壓器件的理想選擇。也是高靈敏、高響應日盲紫外探測器的優選材料。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間“超寬禁帶半導體技術技術“分會上，廈門大學徐翔宇帶來了“氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結構調制以及日盲光電探測器的開發”的主題報告，分享了高性能Ga₂O₃光電探測器的性能調控研究，Al/In合金化薄膜的光電調控和電子結構研究、垂直肖特基單晶Ga₂O₃光電探測器的研究進展。

報告指出，高性能Ga₂O₃光電探測器，運用電子封裝技術，實現與物聯網模塊的可視集成化，完成氧化鎵光電探測器對電弧信號、日盲LED等光源的遠距離實時監控！為未來工業智能化管理提供解決方案。垂直肖特基單晶Ga₂O₃光電探測器方面，MSM結構探測器響應度高，但短板在于響應速度較慢。提升器件響應速度策略：構建內建電場，高效分離，加速漂移。高質量單晶保證載流子遷移率，極低的表面粗糙度確保盡可能低的表面缺陷態；通過大功函金屬構建肖特基接觸，建立內建電場；選用超薄、半透明金屬層保證有效光照面積和最大化利用耗盡層進行光電轉換；

研究通過對外延薄膜后退火處理，獲得高響應度、高探測率的日盲紫外光電探測器，實現對實際日盲信號的靈敏響應。解釋了器件性能的大幅改善，是受到了由退火引起的缺陷以及表面狀態變化的共同影響。通過對Ga₂O₃進行Al/In合金化，實現了大范圍的帶隙調控，制備出了能夠響應全日盲波段的紫外光電探測器，并解釋了合金組分的引入對能帶結構的影響。依靠高質量單晶制備了半透明Pt/Ga2O3垂直結構肖特基光電二極管，該器件具有良好光電特性，通過調節界面耗盡層結區深度，成功實現無持續光電導的響應速度。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）