近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝 SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V/20A TO-252-3封裝 SiC SBD產品在內，芯塔電子已有兩款核心產品通過此項認證。本次認證成功通過，為芯塔電子拓展新能源車用市場奠定了堅實基礎。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業(yè)通過測試，已進入批量導入階段。

芯塔電子1200V/80mΩSiC MOSFET車規(guī)級認證證書

AEC-Q作為國際通用的車規(guī)級電子元器件測試規(guī)范，目前已成為車用元器件質量與可靠性的標志，更是打開車載供應鏈的敲門磚和試金石。試驗項目包含如高溫反偏、溫度循環(huán)、高壓蒸煮、高加速應力、高溫高濕反偏等18項測試，每項都是針對車用分立器件可能遭遇的環(huán)境來設計，用于驗證電子元器件能否滿足各種嚴苛的應用條件、能否經受住長期的高能量沖擊和高頻率開關。

芯塔電子1200V/80mΩTO-263-7封裝器件及晶圓

隨著新能源汽車800V高壓平臺的大規(guī)模上車，SiC器件憑借其自身性能優(yōu)勢進入了黃金賽道。芯塔電子針對新能源汽車車用場景推出了系列SiC應用方案，助力新能源車企實現(xiàn)超級快充、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實現(xiàn)輕量化等。

圖一 基于Si MOSFET的6.6kw OBC拓撲

圖1為基于Si MOSFET器件的6.6KW傳統(tǒng)電路拓撲，前一級DC/DC為兩個BOOST PFC 交錯并聯(lián)，后面一級DC/DC為 LLC。圖2為基于SiC MOSFET方案的電路拓撲。前一級DC/DC為單個單相Totem Pole PFC，后一級DC/DC為LLC。

圖二 基于SiC MOSFET的6.6kw OBC拓撲

對應前一級的PFC電路，如果使用Si器件，開關損耗高、功率器件溫度高，因此單個單向PFC電路功率有限，需要兩路PFC 交錯并聯(lián)來擴展功率。在后一級LLC電路中，如果使用低壓Si MOSFET作為同步整流，無法支持高電池電壓（1000V）充電，而使用1200V SiC MOSFET則可以支持高壓電池充電。另外，SiC MOSFET體二極管反向恢復損耗遠低于Si MOSFET, 非常適合用于V2G功能的OBC。不僅如此，SiC MOSFET使用還有助于提高OBC效率和功率密度。

本次認證充分體現(xiàn)了芯塔電子碳化硅系列產品在可靠性方面的優(yōu)異表現(xiàn)，使得芯塔電子成為國內極少數(shù)多款碳化硅功率器件產品取得車規(guī)級認證的廠商之一，為下游車企及T1客戶選擇提供了權威參考，同時也標志著芯塔電子已邁入國內領先的碳化硅器件及應用方案品牌供應商行列。未來,芯塔電子將持續(xù)聚焦可再生能源、工業(yè)應用和新能源汽車領域，以高性能、高可靠性的產品和創(chuàng)新應用方案，持續(xù)為客戶創(chuàng)造價值。