亚洲嫩草视频_www.国产_91原创在线观看_一级久久19久久久区区区区区区_国产wwwcom_午夜操操操

國家知識產權局信息顯示，重慶芯聯(lián)微電子有限公司申請一項名為掩膜版圖形及其優(yōu)化方法的專利，公開號 CN 118838110 A，申請日期

國家知識產權局信息顯示，長鑫存儲技術有限公司申請一項名為半導體結構及制備方法的專利，公開號CN 118829192 A，申請日期為2023

國家知識產權局信息顯示，深圳市聯(lián)微半導體設備有限公司取得一項名為定位裝置的專利，授權公告號CN 221885077 U，申請日期為2024

作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學高通光學實驗室、高武半導體，小米通訊技術，匯芯通信/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心，中國科學技術大學、云塔電子，能訊高能半導體，中國科學院半導體研究所，九峰山實驗室，江南大學，中國科學院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。

國家知識產權局信息顯示，山東粵海金半導體科技有限公司取得一項名為種專用的碳化硅襯底Wafer倒角裝置的專利，授權公告號CN 2218

國家知識產權局信息顯示，漢斯半導體（江蘇）有限公司取得一項名為一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置的專利，授權公告號 CN 221871

工業(yè)和信息化部、國家發(fā)展改革委、財政部、國務院國資委、市場監(jiān)管總局、國家數據局等六部門近日聯(lián)合印發(fā)通知，部署開展2024年度

國家機關事務管理局、中共中央直屬機關事務管理局聯(lián)合印發(fā)了《關于做好中央和國家機關新能源汽車推廣使用工作的通知》

國家知識產權局信息顯示，蘇州高視半導體技術有限公司申請一項名為基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法及其相關產品的專利，公開號 C

國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請一項名為光刻機焦距監(jiān)控方法、焦距監(jiān)控掩膜版及其形成方法的專

國家知識產權局信息顯示，蘇州敏芯微電子技術股份有限公司申請一項名為力傳感器的封裝結構及其制造方法的專利，公開號 CN 118817

國家知識產權局信息顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司申請一項名為接觸孔自對準的MOSFET制造方法的專利，公開號 CN 11876299

國家知識產權局信息顯示，廣東氣派科技有限公司申請一項名為一種 MOSFET 的封裝結構的專利，公開號 CN 118763060 A，申請日期為

國家知識產權局信息顯示，杭州鎵仁半導體有限公司申請一項名為一種氧化鎵單晶襯底拋光片的劃片保護層結構及其劃片方法的專利，公

國家知識產權局信息顯示，江蘇集芯先進材料有限公司申請一項名為大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置的專利，公開號CN 118756340

10月17日，東湖高新區(qū)舉辦新聞發(fā)布會，正式發(fā)布《促進未來產業(yè)發(fā)展實施方案》。《方案》立足國家定位特殊、武漢科教特長、光谷產

工業(yè)和信息化部、國家發(fā)展改革委近日聯(lián)合印發(fā)《新材料中試平臺建設指南（2024—2027年）》

10月13日，由山東省科技廳指導，山東省創(chuàng)新發(fā)展研究院(以下簡稱省創(chuàng)發(fā)院)和國家信息通信國際創(chuàng)新園服務中心共同主辦的山東集成電

工業(yè)和信息化部、國家發(fā)展改革委近日聯(lián)合印發(fā)《新材料中試平臺建設指南（2024—2027年）》

國家知識產權局信息顯示，格蘭菲智能科技股份有限公司申請一項名為功率半導體器件結構及其制備方法的專利，公開號 CN 118748202